當(dāng)前，多家存儲大廠釋放出低迷信號，擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃更是相繼放緩。TrendForce集邦咨詢預(yù)測，第三季度NAND閃存價(jià)格跌幅將擴(kuò)大至8%~13%，且跌勢有可能延續(xù)至第四季度。明年上半年，NAND閃存價(jià)格或仍處于下跌狀態(tài)。

　　盡管已經(jīng)感受到市場下行的寒風(fēng)，存儲廠商在先進(jìn)技術(shù)方面的競爭卻不見頹靡。日前，美光宣布推出全球首款232層NAND，比特密度比上一代176層NAND高出45%以上；三星電子預(yù)計(jì)將在今年內(nèi)發(fā)布236層NAND閃存產(chǎn)品，還計(jì)劃在本月開設(shè)一個(gè)新的研發(fā)中心，負(fù)責(zé)更先進(jìn)NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā)；SK海力士最近也完成了238層NAND產(chǎn)品的開發(fā)。在各廠商你追我趕的比拼中，一場關(guān)于閃存的爭霸賽再次拉開帷幕。

　　NAND紅海中的“淘金者”

　　NAND閃存的出現(xiàn)是一項(xiàng)極其偉大的發(fā)明。從某種意義上說，NAND閃存引領(lǐng)數(shù)據(jù)存儲進(jìn)入了新時(shí)代，使人們?nèi)粘Ｋ�用的智能手機(jī)、電腦、智能汽車等產(chǎn)品得到了質(zhì)的飛躍，也為云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、VR設(shè)備、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛等新興領(lǐng)域的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

　　當(dāng)時(shí)間的指針撥回到1987年，日本企業(yè)東芝存儲締造了NAND閃存誕生的奇跡。這一創(chuàng)舉，距今有35年的歷史。現(xiàn)如今，東芝存儲已更名為鎧俠。4月25日，鎧俠發(fā)文慶祝NAND閃存發(fā)明35周年。鎧俠方面坦言，NAND閃存技術(shù)是一項(xiàng)具有顛覆性的技術(shù)，它帶來的深遠(yuǎn)影響從根本上改變了人們的生活、工作和娛樂方式。

　　從35年以前的“零”起步，到如今市場規(guī)模已經(jīng)達(dá)到700億美元，NAND閃存發(fā)展可謂可圈可點(diǎn)。在容量方面，NAND閃存已經(jīng)從4Mb增加到1.33Tb，實(shí)現(xiàn)了3.33萬倍的增長。

　　2013年，韓國三星研發(fā)出V-NAND閃存技術(shù)又是一個(gè)新的里程碑。這是一種通過垂直堆疊3D空間中的穿孔連接其單元層的解決方案，不僅突破了NAND閃存只能使用二維結(jié)構(gòu)的局限性，也讓NAND閃存從二維結(jié)構(gòu)進(jìn)化到三維結(jié)構(gòu)，成為當(dāng)前的主流技術(shù)之一。

　　在第一代（24層）V NAND閃存商業(yè)化之后，3D NAND閃存領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步速度極快，第二代（32層）、第三代（48層）、第四代（64/72層）、第五代（92/96層）、第六代（128層）、第七代（176層）技術(shù)紛紛涌現(xiàn)。在短短9年時(shí)間里，堆疊層數(shù)逐漸成為各大閃存企業(yè)的競爭焦點(diǎn)。

　　今年2月初，三星發(fā)布公告稱，將在2022年年底或2023年上半年推出200層以上的3D NAND芯片，并在2023年上半年開始量產(chǎn)。預(yù)計(jì)三星第一款200層以上3D NAND芯片的層數(shù)將達(dá)到224層。

　　在大家都認(rèn)為三星這個(gè)3D NAND閃存的締造者將繼續(xù)引領(lǐng)技術(shù)潮流，甚至將3D NAND閃存帶入200+層新時(shí)代的時(shí)候，美國存儲芯片巨頭美光打了三星一個(gè)措手不及。7月26日，美光發(fā)表公告稱，原定于今年年底開始量產(chǎn)的全球首款232層3D NAND芯片，已經(jīng)提前量產(chǎn)，預(yù)示著3D NAND芯片將進(jìn)入200+層時(shí)代。美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Scott DeBoer表示：“美光的232層NAND芯片是存儲芯片創(chuàng)新性的分水嶺，也證明了現(xiàn)階段的技術(shù)具有將3D NAND芯片的層數(shù)擴(kuò)展至200層以上的能力。”美光此舉可以說是后發(fā)制人，而且這也不是美光第一次這么做了。早在2022年1月，美光就早于三星率先發(fā)布了業(yè)內(nèi)首款176層3D NAND芯片。

　　賽迪顧問集成電路中心高級分析師楊俊剛表示，美光一直是存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)先者，在DRAM和NOR閃存領(lǐng)域一直擁有豐富的技術(shù)儲備和經(jīng)驗(yàn)，擁有成熟的制造產(chǎn)線和產(chǎn)能。美光在發(fā)展NAND閃存過程中，也多方尋求合作，包括和爾必達(dá)、英特爾展開NAND閃存的合作，快速積累技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)，這為美光NAND閃存的崛起奠定了基礎(chǔ)。

　　半導(dǎo)體行業(yè)專家池憲念表示：“美光此次的技術(shù)突破，可降低其生產(chǎn)成本，并使美光擁有最先進(jìn)閃存芯片的定價(jià)權(quán)，這會為其增加更多的利潤；另一方面，美光借此進(jìn)一步提高了自己的技術(shù)門檻，拉開了與其他廠商的差距，使其在存儲芯片市場上的競爭力和3D NAND閃存市場份額得到進(jìn)一步增加。”

　　在這個(gè)勢頭下，美光決心要搶占更多的市場份額。8月9日，美光宣布，將在10年內(nèi)，分階段投資400億美元建設(shè)先進(jìn)存儲芯片制造工廠，這也是美國存儲制造行業(yè)最大規(guī)模的一次投資。據(jù)了解，此次宣布的400億美元投資計(jì)劃，是其去年宣布的1500億美元全球投資方案中的一部分。

　　層數(shù)之爭日趨白熱化

　　美光在閃存領(lǐng)域的技術(shù)突破，將3D NAND閃存技術(shù)提升至新高度。圍繞著更高的層數(shù)，各家閃存企業(yè)的競爭日趨白熱化。

　　8月3日，韓國知名存儲芯片廠商SK海力士宣布成功研發(fā)了業(yè)界最高層數(shù)的238層4D NAND閃存，并且在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會上亮相了首款新產(chǎn)品。SK海力士表示：“此次238層NAND 4D閃存在達(dá)到業(yè)界最高堆棧層數(shù)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了全球最小的面積。”

　　三星在NAND閃存市場也在不斷提速。日前，三星宣布將在今年內(nèi)發(fā)布236層NAND閃存產(chǎn)品。另一邊，同樣來自韓國的SK海力士收購了英特爾位于中國大連工廠的NAND閃存業(yè)務(wù)。在這次收購之后，它的市場總份額達(dá)到全球第二，僅次于三星。顯而易見，兩大韓廠在市場份額方面占據(jù)了NAND閃存的半壁江山。美光想要沖破韓國雙雄這道銅墻鐵壁，仍有一段不短的路要走。

　　不過，比起韓國雙雄，美光在閃存領(lǐng)域也具備獨(dú)特優(yōu)勢。北京半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會副秘書長朱晶對記者表示，“專注”與“聚焦”正是美光在NAND市場表現(xiàn)強(qiáng)勁的原因之一。美光果斷退出傲騰內(nèi)存業(yè)務(wù)之后，一直專注于NAND市場，這個(gè)戰(zhàn)略無疑是明智之舉。相比之下，三星推出新品的速度沒有美光快，這可能是因?yàn)槿�星把不小的精力投入在了代工業(yè)務(wù)上，因而在存儲器市場“顧此失彼”。

　　值得注意的是，雖然閃存的層數(shù)越多，單位空間存儲密度就越大，總存儲容量越容易提升，但層數(shù)并不是決定閃存性能的唯一指標(biāo)。創(chuàng)道投資咨詢總經(jīng)理步日欣表示，3D NAND閃存堆疊技術(shù)在原理上可以理解為，通過堆疊方式，在更小的空間和面積中實(shí)現(xiàn)更大的存儲容量。但是各個(gè)廠商都有各自的技術(shù)架構(gòu)和演進(jìn)路線圖，彼此間不完全一致，各家都有自己的技術(shù)工藝特色。在低層級的時(shí)候，3D堆疊確實(shí)能夠顯著提升閃存的性能，但是隨著層數(shù)的增加，性能提升也會遭遇瓶頸，需要在技術(shù)、成本和性能之間尋找一個(gè)平衡。

　　“層數(shù)的領(lǐng)先并不能代表美光在閃存技術(shù)上已經(jīng)超過了三星�！背貞椖罱忉尩溃瑯I(yè)界衡量閃存產(chǎn)品的先進(jìn)性，除了要看堆疊層數(shù)以外，還需要對接口速度、可靠性、隨機(jī)讀取性能、能耗、增加每單元位數(shù)等方面指標(biāo)進(jìn)行比較。

　　“美光率先推出238層NAND，雖然對企業(yè)形象的提升起到一定作用，但很難說美光的技術(shù)就獨(dú)步天下�！泵拦赓Y深工程師盛海峰博士對記者表示，該技術(shù)對市場份額的影響并不大。盛海峰進(jìn)一步解釋道，NAND領(lǐng)域有消費(fèi)電子（手機(jī)、電腦等）、云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心及汽車電子等幾個(gè)市場，不同市場有不同要求。消費(fèi)電子產(chǎn)品追求存儲量大和功耗小，但近年來，云存儲讓相關(guān)市場對存儲量的追求幾乎走到盡頭，512GB對大多數(shù)手機(jī)用戶來講應(yīng)該是足夠的。三星作為手機(jī)和個(gè)人電腦的生產(chǎn)大戶，在市場份額方面具備得天獨(dú)厚的優(yōu)勢。

　　放眼其他市場，云計(jì)算和數(shù)據(jù)中心的首要要求是耗電小，同時(shí)對可靠性的要求也高于消費(fèi)電子。而對可靠性要求最高的市場是汽車電子。“汽車電子客戶的忠誠度也是最高的，因?yàn)檎J(rèn)證一個(gè)新供應(yīng)商的周期和成本很高。美光在汽車電子領(lǐng)域深耕多年，現(xiàn)在是吃到了紅利�！笔⒑７鍖τ浾哒f。

　　層數(shù)高雖然不代表最先進(jìn)水平，但確實(shí)也能夠證明美光的自身實(shí)力。TrendForce集邦咨詢分析師敖國鋒就認(rèn)為，層數(shù)的確可能不代表技術(shù)最先進(jìn)，但是唯有通過堆高層數(shù)，才有機(jī)會提升存儲的容量，在成本上才具有優(yōu)勢。除了看層數(shù)之外，閃存芯片的傳輸速度也是另一個(gè)關(guān)注的重點(diǎn)。目前從美光發(fā)布的消息來看，其下一代產(chǎn)品的存儲速度很快。

　　三星領(lǐng)先地位暫時(shí)難以撼動

　　鎧俠與西部數(shù)據(jù)結(jié)成的同盟一樣不可小覷。近年來，雙方一直在加深合作，計(jì)劃于2024年之前推出200層以上的3D NAND芯片。鎧俠此前積累了大量的技術(shù)和專利，在技術(shù)研發(fā)方面一直保持著高速發(fā)展。不久前，鎧俠和西部聯(lián)合開發(fā)的NAND閃存堆疊層數(shù)達(dá)到162層。雖然，這一成果和美光、三星和SK海力士相繼推出的200多層NAND閃存技術(shù)相比有一定差距，但是鎧俠和西部數(shù)據(jù)通過高密度化和超多值化等新結(jié)構(gòu)技術(shù)組合，同樣提高了閃存的密度并且降低了成本，它們的產(chǎn)品在市場中具備一定競爭力。

　　據(jù)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)CEO David Goeckeler曾在采訪中表示，鎧俠是西部數(shù)據(jù)重要的合作伙伴，兩家企業(yè)加起來是全球最大的NAND供應(yīng)商，市占率略高于三星。

　　在閃存市場中，三星還是公認(rèn)的領(lǐng)先企業(yè)。鎧俠與西部數(shù)據(jù)的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，能否動搖目前閃存市場中三星的“領(lǐng)頭羊”地位？放眼未來3~5年的市場格局，朱晶認(rèn)為，無論是在資金投入、地緣政治，還是自身技術(shù)方面，鎧俠和西部數(shù)據(jù)都與三星、美光存在一定距離。在她看來，美光是對三星的存儲器霸主地位最有挑戰(zhàn)的一家公司。在相關(guān)政策的支持下，美光或許在產(chǎn)能擴(kuò)充方面具備更大優(yōu)勢，這會為其日后打“價(jià)格戰(zhàn)”奠定更好的基礎(chǔ)。

　　步日欣同樣認(rèn)為三星在閃存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位難以撼動。在步日欣看來，單純依賴各家略有差異化的技術(shù)路線，并不能形成非常強(qiáng)的競爭優(yōu)勢，閃存相對穩(wěn)定的市場格局很難在短時(shí)間內(nèi)被打破。在市場格局層面，鎧俠和西數(shù)單純的業(yè)務(wù)合作，很難撼動三星的市場地位，即便是之前西部數(shù)據(jù)意圖收購鎧俠，從資本層面進(jìn)行全面合并，也很難出現(xiàn)“1+1>2”的結(jié)果。而三星在NAND領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)鏈相對完善，技術(shù)也相對成熟，在NAND領(lǐng)域與其他企業(yè)合作的可能性不是很大。

　　由此可見，截至目前，整個(gè)閃存市場的格局還是由三星、美光、SK海力士、鎧俠和西部數(shù)據(jù)這五家領(lǐng)先企業(yè)主導(dǎo)，同時(shí)三星的領(lǐng)先地位暫時(shí)難以撼動。相信未來這個(gè)格局還將持續(xù)一段時(shí)間。