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      臺(tái)積電將于2025年量產(chǎn)2納米芯片

      來源:中國(guó)電子報(bào)  發(fā)布時(shí)間:2022-9-5 9:37

        本報(bào)訊 記者許子皓報(bào)道:8月30日,在“2022臺(tái)積電技術(shù)論壇”上,臺(tái)積電CEO魏哲家表示,臺(tái)積電的3納米芯片即將量產(chǎn),但并不是大家此前預(yù)想的GAA架構(gòu),而是選擇延用FinFET架構(gòu)。至于2納米芯片,可以保證會(huì)在2025年量產(chǎn)。

        魏哲家指出,臺(tái)積電3納米的研發(fā)依舊困難重重,工程能力欠缺,正在努力加快量產(chǎn)。最終決定采用FinFET架構(gòu)的主要原因是既要實(shí)用,還要低成本,這樣才能更好地滿足客戶產(chǎn)品需求,也能保證穩(wěn)定的供應(yīng)能力。而2納米將用新的納米片(nanosheet)技術(shù),在相同功耗下,相比3納米,速度將增快10%~15%,而在相同速度下,功耗則降低25%~30%,成為電晶體密度最小、效能最佳的先進(jìn)制程技術(shù)。

        會(huì)上,魏哲家還分享了他觀察到的目前半導(dǎo)體制造的三大改變:一是過去的電晶體制造技術(shù)已經(jīng)不能滿足需求,需要向3D IC堆疊的方向發(fā)展。二是所有應(yīng)用產(chǎn)品中,半導(dǎo)體含量都在持續(xù)增加。目前,每年汽車內(nèi)的半導(dǎo)體含量都增加了近15%。以前臺(tái)積電只是在先進(jìn)制程研發(fā)方面的投資比較多,但隨著CMOS、RF等技術(shù)不斷進(jìn)步,現(xiàn)在成熟制程也需要更多投資,兩者一樣重要。三是供應(yīng)鏈管理是最重要的因素,一個(gè)全球化有效率的供應(yīng)系統(tǒng)時(shí)代已經(jīng)過去,所有成本都會(huì)急速增加,臺(tái)積電將與客戶緊密合作降低風(fēng)險(xiǎn)。

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