趙子強

　　繼美國與荷蘭之后，7月23日，日本限制半導體制造設(shè)備出口的新規(guī)也正式生效，這給我國半導體產(chǎn)業(yè)最尖端的芯片制造領(lǐng)域帶來巨大壓力。

　　光刻機是一種利用光學原理將電路圖案轉(zhuǎn)移到硅片上的設(shè)備，相當于芯片制造的“打印機”，決定著芯片的工藝水平和性能，是芯片制造中的關(guān)鍵核心設(shè)備，也是半導體產(chǎn)業(yè)核心中的核心。全球光刻機市場幾乎被荷蘭的阿斯麥（ASML）、日本的佳能和尼康壟斷，其中ASML更是獨占高端極紫外光刻機（EUV）的市場份額。隨著這些國家對中國半導體制造設(shè)備實施出口限制，中國獲取高端光刻機的難度將進一步加大。

　　目前最先進的EUV光刻機，有超過45萬個零件，零件數(shù)量是一輛F1賽車的20倍以上，制造難度超乎想象。即便是處于世界EUV光刻機制造壟斷地位的ASML，大約也只生產(chǎn)了其中的15%，另外85%的零件需要從全球的供應鏈整合而來。因此，推進我國光刻機關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)，提升半導體設(shè)備國產(chǎn)化率，是當下乃至未來相當長一段時間內(nèi)，既重要緊迫，同時又有很高難度的攻堅任務(wù)。

　　一方面，要看到在國家政策支持和市場需求驅(qū)動下，近年來我國在光刻機領(lǐng)域取得了積極進展。近日，有消息稱，上海微電子正在致力于研發(fā)28納米浸沒式光刻機，預計在2023年底將國產(chǎn)第一臺SSA/800-10W光刻機設(shè)備交付市場。2022年11月15日，國家知識產(chǎn)權(quán)局公布了華為的一項新專利“反射鏡、光刻裝置及其控制方法”(CN115343915A)，這是在EUV光刻機核心技術(shù)上取得的突破性進展。另外，華中科技大學研制的OPC系統(tǒng)、哈爾濱工業(yè)大學研制的激光干涉系統(tǒng)等，也各自有所突破。同時，我國也在加快推進14納米、7納米甚至更低節(jié)點的光刻機研發(fā)工作。

　　我國可量產(chǎn)90納米以上的光刻機，與國際先進水平雖有差距，但也能滿足國內(nèi)市場部分需要。這表明，我國在光刻機領(lǐng)域具有一定的技術(shù)積累和人才儲備，有望逐步縮小與國際先進水平的差距。

　　另一方面，也要看到光刻機涉及光學、精密機械、材料、控制等多領(lǐng)域復雜技術(shù)，關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)具有超高難度，僅有政策和資金支持還遠遠不夠，還需要包括技術(shù)、人才、數(shù)據(jù)等各種資源的高效組合。發(fā)揮好資本市場的資源配置功能，對光刻機產(chǎn)業(yè)而言大有裨益。資本市場可以為光刻機相關(guān)企業(yè)提供融資渠道，幫助企業(yè)擴大生產(chǎn)規(guī)模、增加研發(fā)投入、引進人才和技術(shù)等，提高企業(yè)的競爭力和創(chuàng)新能力。資本市場可以為光刻機相關(guān)企業(yè)提供價值評估和激勵機制，促進企業(yè)提高質(zhì)量和效率，增強市場信心和影響力，吸引更多的合作伙伴和客戶。資本市場還可以為光刻機相關(guān)企業(yè)提供信息傳遞和監(jiān)督功能，增加企業(yè)的透明度和公信力，促進企業(yè)與政府、行業(yè)協(xié)會、科研機構(gòu)等的溝通和協(xié)調(diào)，形成良好的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

　　光刻機是半導體產(chǎn)業(yè)“王冠上的明珠”，推進其關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)，提升半導體設(shè)備國產(chǎn)化率，是我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必由之路。路雖遠，行則將至！