本報(bào)訊 國(guó)內(nèi)頭部碳化硅器件研發(fā)企業(yè)清純半導(dǎo)體日前宣布發(fā)布國(guó)內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)的1200V SiC Mosfet器件平臺(tái)產(chǎn)品，這使得國(guó)內(nèi)SiC功率器件技術(shù)躋身國(guó)際領(lǐng)先水平。首款1200V 75mΩ SiC Mosfet已獲得國(guó)內(nèi)領(lǐng)先新能源逆變器制造商的批量訂單，之后將陸續(xù)推出該平臺(tái)下的系列規(guī)格產(chǎn)品。

　　在雙碳目標(biāo)指引下，我國(guó)新能源行業(yè)進(jìn)入跨越式發(fā)展階段，也催生出了巨大的功率器件市場(chǎng)。SiC功率器件正成為新一代電力轉(zhuǎn)換的核心器件，已在新能源汽車(chē)、光伏逆變器、儲(chǔ)能等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。

　　清純半導(dǎo)體為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅功率器件設(shè)計(jì)和供應(yīng)商，去年年底宣布完成高瓴創(chuàng)投領(lǐng)投的數(shù)億元首輪融資。公司擁有國(guó)際領(lǐng)先的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，始終瞄準(zhǔn)國(guó)際技術(shù)前沿，以提供國(guó)際一流的碳化硅功率芯片為己任。

　　公司成立一年來(lái)，技術(shù)與產(chǎn)品發(fā)展迅速，目前已突破國(guó)產(chǎn)SiC功率器件設(shè)計(jì)及大規(guī)模制造瓶頸，在極短時(shí)間內(nèi)先后開(kāi)發(fā)出自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC二極管及Mosfet器件產(chǎn)品，產(chǎn)品先后通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試，是目前國(guó)內(nèi)能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達(dá)到國(guó)際一流水平并且基于國(guó)內(nèi)產(chǎn)線(xiàn)量產(chǎn)SiC Mosfet的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)。